Intel介绍PowerVia背面供电技术：电压有效降低

英特尔已经在之前宣布了全新的制程工艺路线图，而事实上如今随着半导体制程工艺的愈发先进，晶体管之间将会出现量子隧穿等效应，从而降低晶体管的运行效率，从而提升CPU的能耗。事实上英特尔也在利用各式各样的供电技术减少这种情况出现，比如说全新的PowerVia背面供电。目前英特尔已经宣布PowerVia背面供电已经开始在测试CPU上进行试验，预计在2024年正式落地。

英特尔表示之前的CPU基本上都采用正面供电技术，让供电线路在正面进行布线，这种供电技术会影响到金属层的资源的分配，在电路设计越来越复杂的前提下，英特尔需要更多的精力去布局金属层引脚间距，从而增加CPU的制造成本，而如果说走背线的话，英特尔可以让信号走线与供电走线进行分离，从而单独调试与优化各自的线路。当然副作用就是对于技术的要求更高，而且在一定程度上会降低晶圆的良率。

而PowerVia技术可以有效地提升CPU的供电效率，提升晶体管的密度，降低CPU的供电电压，根据实验室的测试，与之前的供电测试相比，供电电压降低了30%，频率也提升了6%。当然目前英特尔测试的处理器基于的是Intel 4，而英特尔希望能够在Intel 20A上采用PowerVia技术，并且考虑到技术的演进，除了PowerVia之外，英特尔也在研究RibbonFET晶体管，从而提升晶体管密度，让CPU的性能更加出色。预计Intel 20A将会在2024年上半年和大家见面，不出意外的话应该就是桌面处理器使用了。